Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S3L06XK
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S3L06XK
IPI80N06S3L06XK Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80N06S3L06XK, 55V drain-source voltaj ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 5.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı işletme özellikleri sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde yaygın olarak kullanılır. 196nC gate charge ve 9417pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9417 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok