Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S3L
IPI80N06S3L-05 Hakkında
IPI80N06S3L-05, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltajına ve 80A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (4.8mOhm @ 10V) ile enerji verimliliği sağlar. TO-262-3 paketinde yer alan komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreler, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 10V ve 5V gate drive voltajlarında optimize edilmiştir. 165W maksimum güç dağılım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 273 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13060 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 69A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 115µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok