Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S3
IPI80N06S3-05 Hakkında
IPI80N06S3-05, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi (Vdss) ile 80A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketlemesinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (5.4mΩ @ 10V) nedeniyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Maksimum 165W güç dağıtım kapasitesi ile motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve minimum kapı yükü (240nC) ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 63A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok