Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S2L11AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S2L11
IPI80N06S2L11AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80N06S2L11AKSA1, 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (11mΩ @ 60A, 10V) ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 158W güç tüketimine dayanabilen bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 10V sürücü gerilimi ile kolay kontrol edilebilir, 80nC gate charge ve 2075pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansını destekler. Through-hole montaj tipi ile PCB üzerine kalıcı bağlantı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2075 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok