Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N06S2L05AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N06S2L05
IPI80N06S2L05AKSA2 Hakkında
IPI80N06S2L05AKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.8mOhm (10V, 80A) RDS(on) değeri düşük kayıplarla yüksek akım işleme sağlar. 300W maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve geniş -55°C ile 175°C sıcaklık aralığına sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V Vgs toleransı ve 230nC gate charge değeri hızlı ve kararlı anahtarlama işlemini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok