Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N04S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N04S4L04AKSA1
IPI80N04S4L04AKSA1 Hakkında
IPI80N04S4L04AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük 4.3mOhm on-state direnci sayesinde enerji verimliliği sağlar. Anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 60nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Şu anda kullanım dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok