Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N04S403AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N04S403AKSA1
IPI80N04S403AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80N04S403AKSA1, N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IPI80N04S403AKSA1, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 94W maksimum güç tüketim kapasitesi ile tasarlanan bu transistör, verimli anahtarlama özellikleri ile dikkat çekmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 53µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok