Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N04S304AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N04S304AKSA1
IPI80N04S304AKSA1 Hakkında
IPI80N04S304AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 4.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konverterleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-262-3 (I²Pak) paket tipi ve through-hole montaj özelliği ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılır. -55°C ile +175°C arası işletme sıcaklığında çalışabilir. Maksimum 136W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yerine geçer ürünler kontrol edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok