Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N04S2H4AKSA2
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N04S2H4AKSA2
IPI80N04S2H4AKSA2 Hakkında
IPI80N04S2H4AKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlayan bu transistör, TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulmaktadır. 3.7mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı ve yüksek verimlilik sunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 300W maksimum güç dağıtım kapasitesi nedeniyle güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışan bu bileşen, endüstriyel kontrol ve otomasyon sistemlerinde tercih edilmektedir. Parça durumu Obsolete olup, stoklama amacıyla temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 148 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok