Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N04S2-04
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N04S2
IPI80N04S2-04 Hakkında
IPI80N04S2-04, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlı regülatörler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 300W güç tüketimi ile güçlü anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. ±20V gate gerilim aralığı ile geniş tasarım esnekliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok