Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N03S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N03S4L04
IPI80N03S4L04AKSA1 Hakkında
IPI80N03S4L04AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3.7mΩ on-resistance (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-262-3 paketinde gelen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC/DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 94W güç yayabilir. 10V gate sürüş geriliminde optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok