Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80N03S4L03AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80N03S4L03AKSA1
IPI80N03S4L03AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI80N03S4L03AKSA1, N-channel güç MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 136W maksimum güç dağıtabilir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 140nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok