Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI80CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI80CN10N
IPI80CN10N G Hakkında
IPI80CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 13A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 80mOhm on-state direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu FET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 716 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok