Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI70N10S312AKSA1
IPI70N10S312AKSA1 Hakkında
IPI70N10S312AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 70A sürekli drain akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 11.6mOhm RDS(on) değeri sayesinde enerji verimliliği sağlayan uygulamalarda tercih edilir. Motor sürücüleri, DC/DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 125W güç tüketebilir. Gate charge değeri 66nC'dir ve ±20V gate gerilim dayanımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4355 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok