Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI70N04S307AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI70N04S307AKSA1
IPI70N04S307AKSA1 Hakkında
IPI70N04S307AKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source geriliminde 80A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Maksimum 6.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. TO-262-3 paketlemesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 79W güç dağıtım kapasitesi ile ısıl yönetimi gerekli olan ortamlarda işletim yapabilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok