Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R600C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI65R600C6XKSA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 7.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve maksimum 600mΩ RDS(on) değerine sahiptir. 23nC gate charge ve 440pF input kapasitans özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen ve -55°C ile 150°C arasında işletilebilen bu transistör, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montaj özelliği, endüstriyel ve profesyonel elektronik tasarımlarında kolayca entegre edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok