Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R600C6XKSA1
IPI65R600 - 650V AND 700V COOLMO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R600
IPI65R600C6XKSA1 Hakkında
IPI65R600C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. COOLMO teknolojisine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevleri gerçekleştirir. 7.3A sürekli drenaj akımı ve 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. TO-262-3 through-hole paketi ile endüstriyel şaltırma kaynakları, UPS sistemleri, enerji dönüştürücüler ve motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı, güvenilir performans sunar. Gate charge 23nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok