Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R420CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R420CFDXKSA1
IPI65R420CFDXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI65R420CFDXKSA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 8.7A sürekli drenaj akımı ve 420mOhm on-state resistance ile anahtarlama devrelerinde kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, solar invertörleri, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunmaktadır. Düşük kapı yükü (32nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) olup, yerleştirme için pin uyumlu alternatifler önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok