Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R380C6
IPI65R380C6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI65R380C6XKSA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 10.6A sürekli drenaj akımı ve 380mΩ maksimum on-state direnci ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. TO-262-3 paketindeki bu bileşen, 39nC gate charge ve 710pF input kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol, enerji dönüşüm sistemleri ve UPS uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 83W maksimum güç dağılımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok