Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R310CFDXKSA1700
IPI65R310 - 650V AND 700V COOLMO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R310
IPI65R310CFDXKSA1700 Hakkında
IPI65R310CFDXKSA1700, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. CoolMOS teknolojisine dayalı bu bileşen, 11.4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 310mΩ RDS(on) değerine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 41nC gate charge özellikleriyle güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 104.2W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok