Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R280E6XKSA1
IPI65R280E6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI65R280E6XKSA1, 650V drain-source gerilim seviyesinde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 13.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilebilen bu bileşen, TO-262-3 paket tipinde temin edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, power conversion devreleri, motor kontrol ve inverter tasarımlarında tercih edilir. 104W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile yüksek verimlilikli sistemlerin tasarımında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok