Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R280C6XKSA1
IPI65R280C6XKSA1 Hakkında
IPI65R280C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 13.8A sürekli dren akımı ve 280mΩ RDS(on) değeri ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında çalışan transistör, ±20V maksimum gate voltajına dayanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 104W güç dissipasyonuna kadir bu MOSFET, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrolü ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 45nC gate charge ve 950pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok