Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R190CFD
IPI65R190CFDXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI65R190CFDXKSA1, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 17.5A sürekli drenaj akımı ve 190mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. TO-262-3 through-hole paketi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Anahtarlama uygulamaları, SMPS devreleri, güç yönetim sistemleri ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok