Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R190C6XKSA1
IPI65R190C6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI65R190C6XKSA1, 650V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 20.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 190mOhm(max) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 73nC ve Vgs(th) 3.5V parametreleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 151W güç dağıtımı kapasitesi ile industriyal ve güç dönüştürme uygulamalarında, şarj cihazları, invertörler, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok