Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R190C6XKSA1
IPI65R190C6 - 650V-700V COOLMOS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R190C6
IPI65R190C6XKSA1 Hakkında
IPI65R190C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel COOLMOS transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu MOSFET, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bileşen, 190mΩ maksimum gate-source direnci (RDS on) değeriyle verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. 73nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok