Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R190C
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R190C
IPI65R190C Hakkında
IPI65R190C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 650V drain-source voltajı ve 20.2A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 190mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol ve elektrik yönetim sistemlerinde yer alır. TO-262-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 73nC gate charge ve 1620pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. 10V drive voltage ile standart TTL/CMOS lojik seviyeleri ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok