Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R150CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R150CFD
IPI65R150CFDXKSA1 Hakkında
IPI65R150CFDXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 22.4A sürekli akım kapasitesi ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum 150mΩ on-state direnci bulunmaktadır. Gate charge değeri 86nC olup, hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve diğer anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Vgs(th) 4.5V olup, standart sürücü devrelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 195.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok