Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI65R110CFDXKSA1
IPI65R110CFDXKSA1 Hakkında
IPI65R110CFDXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj sınırlaması ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 31.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. TO-262-3 paketinde sunulan bu FET, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan klasik bir anahtarlama transistörüdür. 110mOhm RDS(on) değeri ile ısı üretimini minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen üretimi durdurulmuş olup, stok malzeme olarak temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok