Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R600CPAKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R600C
IPI60R600CPAKSA1 Hakkında
IPI60R600CPAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi ve 6.1A sürekli dren akımı ile endüstriyel ve ticari güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve koruma devrelerinde yer alır. 10V kapı geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 60W güç tüketebilen bu transistör, düşük kapı yükü (27nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok