Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R385CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R385CPXKSA1
IPI60R385CPXKSA1 Hakkında
IPI60R385CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketlemesi ile montajı kolaydır. 385mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 22nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 83W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektroniği, motor sürücüleri ve switching power supply uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok