Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R385CP
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R385CP
IPI60R385CP Hakkında
IPI60R385CP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim sınırlaması ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 385mΩ maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, indüktif yükler, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve güç diyotjı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 83W maksimum güç üretebildiğinden, kontrollü ortamlarda uzun ömürlü performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok