Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R380C6
IPI60R380C6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI60R380C6XKSA1, 600V drain-source gerilimi ile çalışan bir N-Channel MOSFET transistördür. 10.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 380mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve koruma uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip ve 83W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok