Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R280C6XKSA1
IPI60R280C6XKSA1 Hakkında
IPI60R280C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 13.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve diğer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 104W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve hızlı anahtarlama özellikleri ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok