Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R280C6
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R280C6
IPI60R280C6 Hakkında
IPI60R280C6, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 13.8A maksimum drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnç (Rds On: 280mOhm @ 6.5A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında etkin şekilde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel elektrik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 430µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok