Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R250CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R250CPAKSA1
IPI60R250CPAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI60R250CPAKSA1, 650V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 250mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. 104W güç dissipasyonu kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. Kütüphanede obsolete (üretim dışı) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok