Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R199CPXKSA1
IPI60R199CPXKSA1 Hakkında
IPI60R199CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 16A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde gelen bu bileşen, düşük on-resistance (199mΩ @ 10V) ile enerji verimliliğini artırır. Gate threshold gerilimi 3.5V olup ±20V aralığında çalışabilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışan bu transistör, endüstriyel güç dönüşüm devreleri, motor kontrolü, UPS sistemleri ve enerji yönetim uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt entegrasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok