Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R190C6XKSA1
IPI60R190C6XKSA1 Hakkında
IPI60R190C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu komponent, 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılı direnç sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans gösterir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 63nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğine katkıda bulunur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok