Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R165CPAKSA1
IPI60R165CPAKSA1 Hakkında
IPI60R165CPAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 165mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-262-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 192W maksimum güç tüketebilir. ±20V gate voltaj aralığında ve 10V drive voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok