Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R125CPXKSA1
IPI60R125CPXKSA1 Hakkında
IPI60R125CPXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliğini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, enerji kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü voltajı ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok