Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R099CPXKSA1
IPI60R099CPXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI60R099CPXKSA1, 600V drain-source gerilim ile çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 31A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketi sayesinde yüksek güç yoğunluğunun gerektirdiği uygulamalarda monte edilebilir. 99mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC/DC konvertörler ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok