Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI60R099CPAAKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI60R099C
IPI60R099CPAAKSA1 Hakkında
IPI60R099CPAAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel kontroller gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 255W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güç seviyelerinde işletme imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok