Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI600N25N3GAKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI600N25N3G
IPI600N25N3GAKSA1 Hakkında
IPI600N25N3GAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde gelen transistör, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltajı desteği ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ile çeşitli ortamlarda güvenilir performans sunar. 136W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok