Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI530N15N3G
IPI530N15N3GXKSA1 Hakkında
IPI530N15N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltajında 21A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (53mOhm @ 18A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, endüstriyel kontrolörler, motor sürücüleri, çevirici devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. 68W'e kadar güç dağıtabilme kapasitesi ile ağır yük uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 887 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok