Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI50R399CPXKSA2
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI50R399CPXKSA2
IPI50R399CPXKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI50R399CPXKSA2, 500V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 9A sürekli dren akımı kapasitesi ve 399mΩ (10V, 4.9A şartlarında) üzerinde düşük RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, ±20V maksimum gate voltajı toleransı ile güvenli çalışma aralığı sunar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, 23nC gate charge ve 890pF input capacitance karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj sistemleri ve converter uygulamalarında tercih edilir. Son sipariş dönemi (Last Time Buy) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok