Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI50R399CP
IPI50R399CPXKSA1 Hakkında
IPI50R399CPXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. 83W maksimum güç tüketimi ve 399mOhm açık durum direnci ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir performans sunar. Eski tasarımlar için parça statüsü nedeniyle yeni projeler için alternatif çözümler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok