Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPI50R350CP

MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IPI50R350CP

IPI50R350CP Hakkında

IPI50R350CP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 550V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 350mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Yüksek gerilim uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü, anahtar devreler ve konvertör tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. 25nC gate charge ve 1020pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. NOT: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 370µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok