Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI50R299CPXKSA1
IPI50R299CPXKSA1 Hakkında
IPI50R299CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source geriliminde 12A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) kasa tipinde paketlenmiş, through-hole montajı destekleyen bir transistördir. 10V gate sürüş geriliminde 299mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 104W maksimum güç dağılımına dayanabilir. Gate şarj değeri (Qg) 31nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok