Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI50R199CP
IPI50R199CPXKSA1 Hakkında
IPI50R199CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim ve 17A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 199mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 139W güç dağıtabilir. Industrial kontrol sistemleri, solar inverter uygulamaları, motor kontrol devreleri ve SMPS (Switched Mode Power Supplies) tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Üretimi sonlandırılmış olup, mevcut stoklar üzerinden temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok