Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI50N10S3L16AKSA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI50N10S3L16AKSA1
IPI50N10S3L16AKSA1 Hakkında
IPI50N10S3L16AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj aralığında 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde Through Hole montajı ile sağlanır. 10V Gate voltajında 15.7mOhm tipik RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama direnci sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlayacak şekilde tasarlanmıştır. Güç uygulamalarında, motor sürücü devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Part Status olarak 'Not For New Designs' olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok