Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI47N10SL26AKSA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI47N10SL26AKSA1
IPI47N10SL26AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI47N10SL26AKSA1, 100V drain-source voltaj derecelendirimesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. 47A sürekli drain akımı ve 26mΩ on-state direnci ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve inverter tasarımlarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 175W güç dağılabilir. 10V gate voltajında maksimum 135nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok